技術文章
TECHNICAL ARTICLES飛行時間質量分析器具備全質量范圍掃描的特點,在一次采集過程中能夠收集到較大質量范圍內的所有分子離子碎片。當使用TOF-SIMS對有機材料進行分析時,我們通過譜圖解析可以識別出這些分子離子對應的有機分子碎片,揭示有機材料鍵接結構。這些豐富的化學信息能夠直接反映有機物的組成與結構特征,為有機材料設計、合成和性能優化提供重要的實驗室數據支持。在本期文章中,我們將通過一系列案例來介紹TOF-SIMS在有機材料中的應用。
有機分子結構解析
有機材料是由不同類型的官能團和化學鍵所構成的,在TOF-SIMS電離過程中會形成質量數不同的分子離子。這些特征離子具有指紋效應,攜帶了有機材料分子結構的關鍵信息,可以據此解析有機材料的分子結構。圖1為PET材料在正離子模式下所采集的SIMS譜圖,展示了 PET分子被電離產生的一系列離子片段。我們對譜峰進行識別,可以明確每一個質量數所對應的結構,從而推斷出PET的分子結構。
圖1. PET材料在正離子模式下采集的TOF-SIMS質譜圖。
在一些特定的樣品體系中,TOF-SIMS技術具有區分有機材料同分異構體的優異能力。如圖2所示,聚丙二醇和聚乙烯基甲基醚是一組同分異構體,盡管他們的分子式相同,但在TOF-SIMS分析時,兩者在電離過程中化學鍵的斷裂位置以及分子碎片的組合方式卻展現出明顯的差異。這種差異導致了兩種結構在正離子模式下所采集到的特征峰類型和信號強度的不同,從而使我們能夠準確地區分這兩種同分異構體。
圖2. 一組同分異構體在正離子模式下采集的TOF-SIMS質譜圖。
高空間分辨化學成像分析
TOF-SIMS具有較高的空間分辨率,可以對有機樣品進行較高空間分辨的化學成像分析,能夠直觀地展示有機組分在表面上的空間分布。圖3為兩組聚合物樣品(PS和PMMA)在TOF-SIMS高空間分辨模式下所采集的正離子mapping影像,通過微區成像結果可清晰地觀察到不同的混合比例下兩種聚合物所呈現出的物相分離現象。
圖3. PS和PMMA在不同混合比例下的TOF-SIMS影像。
有機膜層結構深度分析
在使用TOF-SIMS對有機膜層進行深度分析時,為了減少刻蝕過程中離子束對有機分子結構所造成的損傷,通常使用氬團簇離子源(Gas Cluster Ions Beam, GCIB)對有機材料進行深度分析。如圖4所示,相較于單原子離子源和C60離子源,GCIB離子源能夠減少濺射過程中對有機樣品的結構損傷,實現較為“溫和"的刻蝕。這種“溫和"的刻蝕方式確保了有機分子在深度分析過程中能夠保持較為恒定的離子產額,從而為我們提供了更為準確、可靠的深度分布信息。
圖4. 不同離子源的刻蝕損傷與有機分子離子產額比較。
基于GCIB離子源濺射效率高、刻蝕損傷較小的特性,我們得以對各類有機材料進行TOF-SIMS深度分析。更進一步地,結合TOF-SIMS三維建模分析功能,我們還可以直觀地觀察目標分子在三維空間中的分布。如圖5所示,通過構建的TOF-SIMS三維模型,我們不僅能通過特征離子峰確定尼龍與聚乙烯的分布深度,還能觀察到兩種聚合物在微觀層面上的混合程度。
圖5. 尼龍-聚乙烯混合膜層TOF-SIMS三維分析。
上述案例展示了TOF-SIMS的技術特點及其在有機材料分析中的應用。TOF-SIMS不僅能夠提供有機材料表面的質譜圖、還可以獲取表面離子空間分布以及膜層深度分布信息。因此,TOF-SIMS在有機材料分析中展現出了廣泛的應用前景和巨大潛力。通過TOF-SIMS技術,我們得以窺見有機材料的微觀世界,從而為材料科學、生物醫學、環境科學等領域的研究提供有力支持。
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